作者:fiyour
时间:2010-05-12 10:21
分类:随笔??
内容:
IBM内存大多由其它??内存厂代工,但?准由IBM 定制,所有被??的内存条上除了原厂LOGO ?有IBM FRU.
可以?有IBM FRU 的内存就代表高品?,一些??PC 66MHZ板?内存能?利超?到100MHZ,因?有的内存芯片本身就是采用100MHZ?粒,不?降?使用.从?点上不?看出IBM 机器?何价格昂?.
IBM??的内存有以下几个品牌：
英文名：MICRON； 中文名：美光 ：MT；
英文名：Infineon；中文名：英?凌 ?称：英?凌；
英文名：HYNIX 中文名：?代 ?称：HY；
英文名：PROMOS； 中文名： ?称：PROMOS；
英文名：NANYA； 中文名：南? ?称：NANYA；
英文名：ELPIDA； 中文名：?必达 ?称：?必达；
英文名：SAMSUNG； 中文名：三 星 ?称：三星；
以下是找到?于内存芯片的数据?料,大家可以?照看看自己本本用的是否?100MHZ的芯片
三星(Samsung)SDRAM内存
第1字段由K,km?成，代表三星?品。
第2字段由4?成，代表DRAM。
第3字段代表数据??，4代表4位；8代表8位；16代表16位,32 32bit 。
第4字段代表内存??，S代表SDRAM。
第5字段代表密度，1代表1M；2代表2M；4代表4M；8代表8M；16代表16M。
第6字段代表刷新，0代表4K；1代表2K；2代表8K。
第7字段代表芯片?成，2代表2Bank；3代表4Bank。
第8字段代表?气接口，0代表LVTTL；1代表SSTL。
第9字段代表版本号，空白代表第1版；A代表第2版；B代表第3版。
第10字段代表封装方式，T代表TSOP ?(RPPmil)。
第11字段代表功耗，G代表自???，F代表自???低功耗。
第12字段代表内存的速度，7代表7ns(143MHz)；8代表8ns(125MHz)；10代表10ns(100MHz)；H代表100MHz@CL=2；L代表100MHz@CL=3。
内存?粒?号的??之-日立
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第1字段由HM?成，代表日立?品。
第2字段代表内存??，51代表EDO；52代表SDRAM；54代表DDR SDRAM。
第3字段代表密度，64代表64MB；12代表128MB；25代表256MB；51代表512MB。
第4字段代表?构，405代表x4；805代表x8；165代表x16；325代表x32。
第5字段代表芯片修正版本，A代表A修正版；B代表B修正版；C代表C修正版。
第6字段代表封装方式，TT代表TSOP；TD代表DDP(Double-DensityPackage)。
第7字段代表内存的速度，A60代表10ns(100MHz@CL?2&3)；B60代表10ns(100MHz@CL=3)；75代表7.5ns(133MHz)；80代表8ns(125MHz)。
内存?粒?号的??之-英?凌(Infineon)
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第1字段由HYB?成，代表西?子?品。
第2字段代表内存的??，39S代表SDRAM。
第3字段代表内存的容量。
第4字段代表数据??，40代表4位；80代表8位；16代表16位。
第5字段代表的意?不?，一般?0。
第6字段代表?品系列。
第7字段代表封装方式，T代表TSOP封装。
第8字段代表功耗，空白代表普通；L代表低功耗。
第9字段代表内存的速度，6代表6ns(166MHz)；7代表7ns(143MHz)；75代表7.5ns(133MHz)；8代表8ns(125MHz@CL=2)；8B代表10ns(100MHz@CL=3)；10代表10ns(100MHz)。
内存?粒?号的??之-富士通(FUJITSU)SDRAM内存
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第1字段由MB81?成，代表富士通的SDRAM?品。
第2字段代表内存的??，F代表PC100；1代表普通内存。
第3字段代表容量。
第4字段代表数据??，4代表4位；8代表8位；16代表16位；32代表32位。
第5字段代表芯片的?成，22代表2BANK；42代表4BANK。
第6字段代表?品系列。
第7字段代表内存的速度，60代表6ns；70代表7ns；80代表8ns；102代表10ns(CL=2或3)；103代表10ns(CL=3)；100代表10ns；84代表12ns；67代表15ns。
内存?粒?号的??之-?芝(TOSHIBA)SDRAM内存
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第1字段由TC?成，代表?芝?品。
第2字段代表内存??，59S代表SDRAM。
第3字段代表容量，64代表64MB；128代表128MB。
第4字段代表数据??，04代表4位；08代表8位；16代表16位；32代表32位。
第5字段代表?品系列，比?常?的有A系列和B系列?品。
第6字段代表封装方式，FT代表TSOP。
第7字段代表功耗，空白代表普通；L代表低功耗。
第8字段代表内存的速度，60代表6ns；70代表7ns；80代表8ns；102代表10ns(CL=2或3)；103代表10ns(CL=3)；100代表10ns；84代表12ns；67代表15ns。
内存?粒?号的??之-三菱(MITSUBISHI)SDRAM
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第1字段由M2?成，代表三菱?品。
第2字段由代表I/O界面，一个字符?成，一般?V。
第3字段代表容量，如16代表16MB。
第4字段代表内存?型，S代表SDRAM。
第5字段代表数据??，2代表4位；3代表8位；4代表16位。
第6字段代表意?不?，一般?0。
第7字段代表?品系列。
第8字段代表封装?型，TP代表TSOP封装。
第9字段代表内存的速度，8A代表8ns；7代表10ns(CL=2或3)；8代表10ns(CL=3)；10代表10ns。
第10字段代表功耗，空白代表普通；L代表低功耗。
内存?粒?号的??之-LGs SDRAM内存
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第1字段由GM?成，代表LGs公司的?品。
第2字段代表?品?型，72代表SDRAM。
第3字段代表??，V代表3V。
第4字段代表内存?位容量和刷新?位，16代表16M(4K刷新)；17代表16M(2K刷新)；28代表128M(4K刷新)；64代表64M(16K刷新)；65代表64M(8K刷新)；66代表64M(4K刷新)。
第5字段代表数据??，4代表4位；8代表8位；16代表16位；32代表32位。
第6字段代表芯片?成，1代表1BANK；2代表2BANK；4代表4BANK；8代表8BANK。
第7字段代表?气接口，1代表LVTTL。
第8字段代表芯片的修正版本，A代表第1版；B代表第2版，依此?推。
第9字段代表功耗，空白代表普通；L代表低功耗。
第10字段代表封装方式，T代表TSOP；R代表TSOP?；I代表BLP；S代表STACK。
第11字段代表内存的速度，6代表6ns(166MHz)；65代表6.5ns(153MHz)；7代表7ns(143MHz)；75代表7.5ns(133MHz)；8代表8ns(125MHz)；7K代表10ns(PC100 @222)；7J代表10ns(PC100@322)；10K代表10ns(PC66)；10J代表10ns(PC66)；12代表12ns(83MHz)；15代表15ns(66MHz)。
内存?粒?号的??之-?代(Hyundai)
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1.SDRAM内存(老版本)
第1字段由HY?成，代表?代?品。
第2字段代表?品?型，57代表DRAM；5D代表DDR SDRAM。
第3字段代表??，V代表3.3V；U代表2.5V。
第4字段代表密度和刷新，4代表4MB(1K刷新)；16代表16M(4K刷新)；64代表64M(8K刷新)；65代表64M(4K刷新)；128代表128M(8K刷新)；129代表128M(4K刷新)；257代表256MB(8K刷新)。
第5字段代表数据??，40代表4位；80代表8位；16代表16位；32代表32位。
第6字段代表芯片?成，1代表2BANK；2代表4BANK。
第7字段代表?气接口，0代表LVTTL；1代表SSTL；2代表SSTL2。
第8字段代表芯片修正版本；空白代表第1版，A代表第2版；B代表第3版；C代表第4版；D代表第5版。
第9字段代表功耗，空白代表普通；L代表低功耗。
第10字段代表封装方式；JC代表400mil SOJ；TC代表400mil TSOP ?、TD代表13mm TSOP-II、TG代表16mm TSOP-?；TQ代表100Pin TQFPI。
第11字段代表内存的速度，5代表5ns(200MHz)；55代表5.5ns(183MHz)；6代表6ns(166MHz)；7代表7ns(143MHz)；75代表7.5ns(133MHz)；8代表8ns(125MHz)；10P代表10ns(100MHz@CL=2或3)；10S代表10ns(100MHz@CL=3)；10代表10ns(100MHz)；12代表12ns(83MHz)；15代表15ns(66MHz)。
2.SDRAM内存(新版本)
第1字段由HY?成，代表?代?品。
第2字段代表?品?型，57代表SDRAM。
第3字段代表??，V代表3.3V。
第4字段代表密度和刷新，64代表64M(4K刷新)；65代表64M(8K刷新)；28代表128M(4K刷新)；56代表256M(8K刷新)。
第5字段代表数据??，4代表4位；8代表8位；16代表16位；32代表32位。
第6字段代表芯片?成，1代表2BANK；2代表4BANK。
第7字段代表意?不?，一般?0。
第8字段代表?气接口，0代表LVTTL；1代表SSTL_3。
第9字段代表芯片修正版本；空白或H代表第1版，A或HA代表第2版；B或HB代表第3版；C或HC代表第4版。
第10字段代表封装方式；T代表TSOP；Q代表TQFP；I代表BLP；L代表CSP(LF-CSP)。
第11字段代表内存的速度，5代表5ns(200MHz)；55代表5.5ns(183MHz)；6代表6ns(166MHz)；7代表7ns(143MHz)；K代表7.5ns(PC133@CL=2)；H代表7.5ns(PC133 @CL=3)；8代表8ns(125MHz)；P代表10ns(PC100@CL=2)；S代表10ns(PC100@CL=3)；10代表10ns(100MHz)。
内存?粒?号的??之-金邦(GeIL)SDRAM内存
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第1字段代表?品系列，GL2000代表千禧条，BLP代表金条。
第2字段由GP?成，代表金邦?品。
第3字段代表?品?型，6代表SDRAM。
第4字段代表制造工?，C代表5V Vcc CMOS；LC代表0.2微米3.3V Vdd CMOS；V代表2.5V Vdd CMOS。
第5字段代表容量，它与第7字段相乘就是?容量。
第6字段代表容量?位，空白代表Bits；K代表KB，M代表MB，G代表GB。
第7字段代表?粒数量。
第8字段代表芯片修正版本。
第9字段代表封装方式，DJ代表SOJ；DW代表?型SOJ；F代表54?4行FBGA；FB代表60?8*16 FBGA；FC代表60?11*13 FBGA；FP代表反?芯片封装；FQ代表反?芯片密封；F1代表62?2行FBGA；F2代表84?2行FBGA；LF代表90?FBGA；LG代表TQFP；R1代表62?2行微型FBGA；R2代表84?2行微型FBGA；TG代表TSOP ?，U代表μ BGA。
第10字段代表内存的速度，7代表7ns(143MHz)。
第11字段由AMIR?成，代表内部??号。
第12字段由四位数字?成，代表生?日期，前两个数字表示年份，如00表示2000年；后两个数字表示周数，如25表示第25周。
内存?粒?号的??之-美光(Micron)
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第1字段由MT?成，代表美光?品。
第2字段代表内存?型，48代表SDRAM。
第3字段代表内存??，LC代表普通SDRAM。
第4字段代表密度，此数与M后位数相乘即?容量。
第5字段代表意?不?，一般?M。
第6字段代表数据??，4代表4位；8代表8位；16代表16位；32代表32位。
第7字段代表?型，AX代表write Recovery(TWR)；A2代表2clk(TWR)。
第8字段代表封装方式，TG代表TSOP II(RPPmil)。
第9字段代表内存的速度，7代表7ns(143MHz)；75代表7.5ns(133MHz)；8A代表8ns(125MHz，?取周期?333)；8B代表8ns(125MHz，?取周期?323)；8C代表8ns(125MHz，?取周期?322)；8 D代表8ns(125MHz，?取周期?222)；8E代表8ns(125MHz，?取周期?222)；10代表10ns(100MHz@CL=3)。
第10字段代表功耗，空白代表普通；L代表低功耗。